[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201010144275.4 | 申请日: | 2010-03-22 |
公开(公告)号: | CN102201427B | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 姚久琳;谢明勋;刘文煌 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L23/52;H01L33/62 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 邱军 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明公开一种发光元件,包括一载体、一形成于载体上的一导电接合结构、一形成于导电接合结构上的外延结构、以及设于外延结构及导电接合结构间的至少一绝缘部,其中外延结构包括有第一发光叠层及第二发光叠层,其中第一发光叠层表面上具有两极性相异的电极,第二发光叠层底部电性导通于导电接合结构且表面具有一电极。所述绝缘部设于第一发光叠层下,以使第一发光叠层绝缘于导电接合结构,再搭配至少一设于发光元件表面的金属导线以通过导电接合结构而电连接各发光叠层,以使各发光叠层间达成并联或串联的连接。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,包括:载体;导电接合结构,形成于该载体上;外延结构,位于该导电接合结构上,包括有:至少一第一发光叠层,包括第一半导体层及第二半导体层,其中该第一半导体层及该第二半导体层表面上分别具有一电极,且该第一半导体层较该第二半导体层接近该载体;以及至少一第二发光叠层,包括第三半导体层其底面电性导通于该导电接合结构、及第四半导体层其位于该第三半导体层上方且表面具有一电极;以及至少一绝缘部,其位于该第一发光叠层及该导电接合结构间,以使各该第一发光叠层绝缘于该导电接合结构;其中该至少一第一发光叠层的该第一半导体层的极性与该至少一第二发光叠层的该第三半导体层的极性不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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