[发明专利]掩埋式高亮度发光二极管结构有效
| 申请号： | 201010140070.9 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102208506A | 公开（公告）日： | 2011-10-05 |
| 发明（设计）人： | 杨凯;黄尊祥;李涛;彭绍文;刘建鋆;王向武 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 李宁;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种掩埋式高亮度发光二极管结构，采用MOCVD、MBE或其他设备在基板生长外延层，外延层可以通过键合方式或某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，通过掩膜保护，利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，再通过真空溅射设备掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。本发明提高了电流的注入效率和发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掩埋 亮度 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
掩埋式高亮度发光二极管结构，在基板生长外延层，外延层可以通过某种方式转移到另一基板，出光层另一侧作为第一电极，其特征在于：利用干法蚀刻或湿法蚀刻制作掩埋区，蚀刻深度越过有源层，掩埋区内镀制钝化膜作为隔离层，隔离层上方或附近镀制第二电极。
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