[发明专利]固体摄像器件制造方法、固体摄像器件以及电子装置无效
申请号: | 201010139654.4 | 申请日: | 2010-04-06 |
公开(公告)号: | CN101859785A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 泽田宪 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供固体摄像器件制造方法、固体摄像器件以及电子装置,该固体摄像器件制造方法包括:第一步骤,用于在半导体基板的顶面上形成凹陷部;第二步骤,用于通过从所述凹陷部的底面引入杂质而在所述凹陷部的下部中选择性地形成第一导电型的杂质区;以及第三步骤,用于在所述凹陷部中形成半导体层,从而形成包含所述杂质区和所述半导体层的光电转换部。根据本发明,可容易地在保持了表面平坦度的半导体基板上以高的精确度形成布线层、光学系统等。此外,利用从半导体基板的顶面延伸至更深位置的光电转换部,就能以高的灵敏度来感测具有较长波长的光。因此,在小型化像素中实现高质量的成像也成为可能。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
【主权项】:
一种固体摄像器件制造方法,其包括:第一步骤,用于在半导体基板的顶面上形成凹陷部;第二步骤,用于通过从所述凹陷部的底面引入杂质而在所述凹陷部的下部中选择性地形成第一导电型的杂质区;以及第三步骤,用于在所述凹陷部中形成半导体层,并形成包含所述杂质区和所述半导体层的光电转换部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的