[发明专利]有机存储器无效
申请号: | 201010134970.2 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN101807669A | 公开(公告)日: | 2010-08-18 |
发明(设计)人: | 施毅;李昀;邱旦峰;曹立强;潘力嘉;濮林 | 申请(专利权)人: | 南京大学 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人: | 周静 |
地址: | 210093*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及有机存储器,基于自组装材料,具有非挥发存储效应。所述有机存储器包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层,所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层,所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。作为优选方案,所述烷基三氯硅烷中烷基的碳原子数为3-12,更优选为6-12,最优选为辛烷基三氯硅烷。由于烷基三氯硅烷自组装分子层与有机半导体层界面处的陷阱电荷,能够起到对自组装材料层的势垒性质的调控,从而使得电荷穿越过这一势垒层的几率改变,最终得到具有电学存储效应的器件。 | ||
搜索关键词: | 有机 存储器 | ||
【主权项】:
一种有机存储器,包括上、下电极和置于上、下电极之间的功能层,其特征在于所述功能层包括相互隔离的上、下有机半导体层和上、下有机半导体层中间的烷基三氯硅烷自组装分子层,所述烷基三氯硅烷自组装分子层与上、下有机半导体层相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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