[发明专利]半穿透半反射式像素结构

摘要

本发明公开一种半穿透半反射式像素结构，其具有一穿透区以及一反射区。像素结构包括一主动元件、一覆盖层、一反射电极层、一反射电极图案以及一穿透电极层。覆盖层位于穿透区以及反射区，且覆盖主动元件，其中覆盖层具有一接触窗开口，接触窗开口至少位于穿透区。反射电极层位于反射区内。反射电极图案位于接触窗开口内并延伸至接触窗开口周围的覆盖层的一上表面上。穿透电极层位于穿透区的覆盖层的表面上，其中穿透电极层与反射电极层电性连接且穿透电极层经接触窗开口与主动元件电性连接。

主权项

一种像素结构，其特征在于，其具有一第一区以及一第二区，该像素结构包括：一主动元件；一覆盖层，位于该第一区以及该第二区，且覆盖该主动元件，其中该覆盖层具有一接触窗开口，该接触窗开口至少位于该第二区；一第一电极层，位于该第一区内；一第一电极图案，位于该接触窗开口内并延伸至该接触窗开口周围的该覆盖层的一上表面上；以及一第二电极层，位于该第二区的该覆盖层的表面上，其中该第二电极层与该第一电极层电性连接且该第二电极层经该接触窗开口与该主动元件电性连接。