[发明专利]单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法无效
| 申请号： | 201010121621.7 | 申请日： | 2010-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101780973A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 唐爱伟;曲胜春;王占国 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C01G3/12 | 分类号： | C01G3/12;B82B3/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤1：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤2：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤3：将反应液冷却至室温；步骤4：向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出；步骤5：向析出的沉淀中加入溶剂，使沉淀溶解，得到溶液；步骤6：向溶解后的溶液中加入沉淀剂，进行陈化，离心；步骤7：在真空中进行干燥，得到硫化亚铜半导体纳米晶。 | ||
| 搜索关键词： | 分散 硫化 半导体 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种单分散硫化亚铜半导体纳米晶的制备方法，包括如下步骤：步骤1：以金属有机铜化合物作为铜原料，脂肪族硫醇作为硫原料；步骤2：将铜原料和硫原料加入到高沸点溶剂中，搅拌均匀，进行加热反应，得到反应液；步骤3：将反应液冷却至室温；步骤4：向反应液中加入沉淀剂，有灰色或黑色沉淀析出；步骤5：向析出的沉淀中加入溶剂，使沉淀溶解，得到溶液；步骤6：向溶解后的溶液中加入沉淀剂，进行陈化，离心；步骤7：在真空中进行干燥，得到硫化亚铜半导体纳米晶。
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