[发明专利]含逆槽沟、源极接地及源体短路电极的半导体器件及方法

摘要

本发明为含逆槽沟、源极接地及源体短路电极的半导体器件及方法。本发明披露一种底源横向扩散式MOS(BS-LDMOS)器件。该器件的源区横向设置，跟半导体基底顶面附近的漏区相对，基底上支持的门极处于源区跟漏区之间。该BS-LDMOS器件还有一个结合的陷阱-沟道区，其在半导体基底中设置的深度完全低于体区，后者设置在接近顶面的源区附近，其中结合的陷阱-沟道区起埋置的源-体接点功能，从而将体区和源区电连接到基底的底面，起源电极的功能。将其漂移区设置在门极下面靠近顶面，跟源区有一段距离，并且延伸到包围漏区。该结合的陷阱-沟道区延伸到漂移区下面，并且该结合的陷阱-沟道区具有的掺杂剂的传导率跟漂移区的相反且补偿了漂移区，来减小源-漏电容。

主权项

一种集成电路器件，包括：一个逆槽沟场效应晶体管半导体器件，它包括半导体基底和设置在基底底上的源极和设置在基底顶上的漏极，起降压变流器的高端场效应管功能；一个功率金属氧化物半导体场效应晶体管器件，它具有设置在所述半导体基底上的漏极来跟所述逆槽沟场效应晶体管半导体器件集成，起降压变流器的低端场效应管功能。