[发明专利]一种铝包覆硼复合粉体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201010116162.3 申请日: 2010-02-26
公开(公告)号: CN101787515A 公开(公告)日: 2010-07-28
发明(设计)人: 张东明;贺振华;张联盟 申请(专利权)人: 武汉理工大学
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/16;C06B27/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 唐万荣
地址: 430070 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及铝包覆硼复合粉体的制备方法。一种铝包覆硼复合粉体的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)硼粉的预处理;2)利用多弧离子镀膜技术在多弧离子镀膜机中对预处理后的硼粉表面进行多弧表面镀铝处理,获得铝包覆硼复合粉体;所述多弧离子镀膜技术的参数为:靶材选择铝靶;首先抽真空至2.0×10-2Pa,然后充氩气至(2.5~3.3)×10-1Pa;氩气发射源的电流55~70A;镀膜温度170~200℃;然后以(5~20)g/分钟的喂料速度向位于真空炉体内的承载台喂预处理后的硼粉,粉末颗粒通过旋转、震动从承载台上的一个台阶跳入或滚入另一个台阶,最后落入粉末收集装置中。本发明的优点在于镀膜时间短、镀层均匀;工艺简单,适宜大规模生产。
搜索关键词: 一种 铝包覆硼 复合 制备 方法
【主权项】:
一种铝包覆硼复合粉体的制备方法,其特征在于它包括如下步骤:1)硼粉的预处理:将硼粉造粒,得到粒径为2~100μm预处理后的硼粉;2)以2~100μm预处理后的硼粉为原料,利用多弧离子镀膜技术在多弧离子镀膜机中对预处理后的硼粉表面进行多弧表面镀铝处理,获得铝包覆硼复合粉体;所述多弧离子镀膜技术的参数为:多弧离子镀膜机的真空炉体内的靶材选择铝靶;多弧离子镀膜机的真空炉体内首先抽真空至2.0×10-2Pa,然后充氩气至(2.5~3.3)×10-1Pa;多弧离子镀膜机的真空炉体内的氩气发射源的电流55~70A;多弧离子镀膜机的真空炉体内的镀膜温度170~200℃;然后以(5~20)g/分钟的喂料速度向位于真空炉体内的承载台喂预处理后的硼粉,承载台的转速为1~5转/分钟,承载台的震动频率为3~30次/分钟,粉末颗粒通过旋转、震动从承载台上的一个台阶跳入或滚入另一个台阶,最后落入粉末收集装置中。
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