[发明专利]搬送腔室和颗粒附着防止方法有效
申请号: | 201010113903.2 | 申请日: | 2010-02-09 |
公开(公告)号: | CN101800187B | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 山涌纯;及川纯史;中山博之 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;H01L21/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种搬送腔室和颗粒附着防止方法,其能够不损害被处理基板地对被处理基板进行除电,防止由静电力造成的颗粒向被处理基板的附着。在基板处理系统(1)中,在基板处理部(2)和大气系统搬送部(3)之间设置的搬送腔室(4)具备收纳作为被处理基板的晶片(W)的腔室主体(51)。腔室主体(51)能够通过给气系统(52)和排气装置(53)在减压环境和大气压环境之间切换。给气系统(52)在腔室主体(51)的外侧具备产生离子化气体的离子化装置(60)。将在离子化装置(60)产生的离子化气体供向腔室主体(51),对收纳于腔室主体(51)的晶片(W)进行除电。 | ||
搜索关键词: | 搬送腔室 颗粒 附着 防止 方法 | ||
【主权项】:
一种搬送腔室,其设置于在减压环境中对被处理基板实施规定处理的减压处理部和将被处理基板保持在大气压环境中的大气系统保持部之间,在所述减压处理部和所述大气系统保持部之间搬送所述被处理基板,所述搬送腔室的特征在于,包括:腔室主体,其收纳所述被处理基板;排气装置,其为了使所述腔室主体的内部为所述减压环境,进行从所述腔室主体的排气;气体供给装置,其为了使所述腔室主体的内部为所述大气压环境,将规定的气体供给至所述腔室主体;离子化气体供给装置,其在所述腔室主体的外部具备使所述规定的气体离子化的离子化装置,将在所述离子化装置中产生的离子化气体供给至所述腔室主体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造