[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法无效
| 申请号： | 201010110801.5 | 申请日： | 2010-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN102157428A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赵林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明中公开了一种形成浅沟槽隔离结构的方法，该方法包括：在半导体衬底上沉积垫氧化层、停止层和光刻胶掩膜，通过刻蚀停止层、垫氧化层和半导体衬底形成浅沟槽，并在去除光刻胶掩膜之后在浅沟槽的侧壁和底部形成衬氧化层；向所述浅沟槽中填充绝缘介质，形成位于浅沟槽中以及停止层上的氧化膜层；进行平坦化处理；通过测量获得平坦化处理后的第一台阶高度；根据所述第一台阶高度去除浅沟槽中的部分氧化膜层，以调整浅沟槽中的氧化膜层的厚度；去除停止层；进行有源区的阈值调整离子注入；去除垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。通过使用上述的方法，可减小各批次半导体器件上的台阶高度的波动，提高所制造的各批次半导体器件在性能上的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 沟槽 隔离 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，该方法包括：在半导体衬底上沉积垫氧化层、停止层和光刻胶掩膜，通过刻蚀停止层、垫氧化层和半导体衬底形成浅沟槽，并在去除光刻胶掩膜之后在浅沟槽的侧壁和底部形成衬氧化层；向所述浅沟槽中填充绝缘介质，形成位于浅沟槽中以及停止层上的氧化膜层；进行平坦化处理，去除停止层上的氧化膜层以及浅沟槽中的部分氧化膜层；通过测量获得平坦化处理后的第一台阶高度d1；其中，所述第一台阶高度d1为平坦化处理后的浅沟槽中的氧化膜层的上表面到垫氧化层的下表面之间的高度；根据所述第一台阶高度d1去除浅沟槽中的部分氧化膜层，以调整浅沟槽中的氧化膜层的厚度；去除停止层；进行有源区的阈值调整离子注入；去除垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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