[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法

权利要求书

1.一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，该方法包括：

在半导体衬底上沉积垫氧化层、停止层和光刻胶掩膜，通过刻蚀停止层、垫氧化层和半导体衬底形成浅沟槽，并在去除光刻胶掩膜之后在浅沟槽的侧壁和底部形成衬氧化层；向所述浅沟槽中填充绝缘介质，形成位于浅沟槽中以及停止层上的氧化膜层；进行平坦化处理，去除停止层上的氧化膜层以及浅沟槽中的部分氧化膜层；

通过测量获得平坦化处理后的第一台阶高度d1；其中，所述第一台阶高度d1为平坦化处理后的浅沟槽中的氧化膜层的上表面到垫氧化层的下表面之间的高度；

根据所述第一台阶高度d1去除浅沟槽中的部分氧化膜层，以调整浅沟槽中的氧化膜层的厚度；

去除停止层；进行有源区的阈值调整离子注入；

去除垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一台阶高度d1去除浅沟槽中的部分氧化膜层，以调整浅沟槽中的氧化膜层的厚度包括：

预先设置第一标准值D1，并确定去除浅沟槽中的部分氧化膜层的工艺的刻蚀速度v1；

根据所述d1、D1和v1，计算得到去除浅沟槽中的部分氧化膜层的工艺的持续时间t1；

执行去除浅沟槽中的部分氧化膜层的工艺，并使得所述去除浅沟槽中的部分氧化膜层的工艺的持续时间为t1，从而去除浅沟槽中的部分氧化膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：

所述t1的取值范围为200～400秒。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除停止层包括：

通过测量获得去除浅沟槽中的部分氧化膜层后的第二台阶高度d2；其中，所述第二台阶高度d2为去除浅沟槽中的部分氧化膜层后的浅沟槽中的氧化膜层的上表面到垫氧化层的下表面之间的高度；

根据所述第二台阶高度d2进行去除停止层的工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二台阶高度d2进行去除停止层的工艺包括：

预先设置第二标准值D2，并确定所述去除停止层的工艺中去除停止层表面的自然氧化层的处理过程的刻蚀速度v2；

根据所述d2、D2和v2，计算得到所述去除停止层表面的自然氧化层的处理过程的持续时间t2；

执行去除停止层的工艺，并使得所述去除停止层的工艺中的去除停止层表面的自然氧化层的处理过程的持续时间为t2。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述t2的取值范围为480～600秒。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构包括：

通过测量获得阈值调整离子注入后的第三台阶高度d3；其中，所述第三台阶高度d3为阈值调整离子注入后的浅沟槽中的氧化膜层的上表面到垫氧化层的下表面之间的高度；

根据所述第三台阶高度d3去除垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述第三台阶高度d3去除垫氧化层包括：

预先设置第三标准值D3，并确定去除垫氧化层的工艺的刻蚀速度v3；

根据所述d3、D3和v3，计算得到去除垫氧化层的工艺的持续时间t3；

执行去除垫氧化层的工艺，并使得所述去除垫氧化层的工艺的持续时间为t3，从而完全去除垫氧化层。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：

所述t3的取值范围为290～370秒。