[发明专利]光刻机对准参数的检测装置及其检测方法无效
申请号: | 201010110209.5 | 申请日: | 2010-02-11 |
公开(公告)号: | CN102156392A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 夏婷婷 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F1/14 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 20120*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种光刻机对准参数的检测装置及其检测方法,涉及一种半导体制造工艺领域。所述检测装置包括一掩膜版,所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记,以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数。所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道,所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域。所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异,所述晶圆图形化工艺后,在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案。所述检测方法及装置简单,生产效率高。 | ||
搜索关键词: | 光刻 对准 参数 检测 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻机对准参数的检测装置,其包括一掩膜版,所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记,以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数,所述晶圆,包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道,所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域,第一对准标记和第二对准标记的位置分别与相邻的第一切割道或者第二切割道的位置对应;其特征在于:所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异,通过对所述晶圆执行图形化工艺,将掩膜版上的第一对准标记和第二对准标记转移至第一切割道或者第二切割道上后,在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案,用于检测光刻机的对准参数。
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