[发明专利]光刻机对准参数的检测装置及其检测方法

权利要求书

1.一种光刻机对准参数的检测装置，其包括一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，以配合晶圆确定所述光刻机的对准参数，所述晶圆，包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域，第一对准标记和第二对准标记的位置分别与相邻的第一切割道或者第二切割道的位置对应；其特征在于：所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异，通过对所述晶圆执行图形化工艺，将掩膜版上的第一对准标记和第二对准标记转移至第一切割道或者第二切割道上后，在两相邻曝光区域之间形成由所述第一对准标记和所述第二对准标记叠加的晶圆标记图案，用于检测光刻机的对准参数。

2.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述掩膜版还包括一半导体器件图案，所述半导体器件图案与所述曝光区域的形状相同，均为正方形。

3.根据权利要求2所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述第一对准标记及第二对准标记分布在所述半导体器件图案的二相对侧边旁。

4.根据权利要求3所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述第一对准标记的中心点和所述第二对准标记的中心点连线平行或者垂直于所述第一切割道。

5.根据权利要求4所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述第一对准标记和所述第二对准标记的形状均为正方形或者圆形。

6.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述叠加晶圆标记图案位于所述第一切割道或者所述第二切割道上。

7.根据权利要求1所述光刻机对准参数的检测装置，其特征在于：所述第一对准标记的尺寸小于所述第二对准标记的尺寸。

8.一种光刻机对准参数的检测方法，包括以下步骤：

提供一晶圆，所述晶圆包括多条相互平行并沿水平方向延伸的第一切割道及多条相互平行且与所述第一切割道相垂直的第二切割道，所述多条第一切割道与所述第二切割道界定多个曝光区域；

提供一掩膜版，所述掩膜版包括第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记和所述第二对准标记形状一致且尺寸相异；第一对准标记和第二对准标记的位置分别与相邻的第一切割道或者第二切割道的位置对应；

采用欲检测其对准参数的光刻机对所述晶圆进行图形化制造工艺，将所述第一对准标记和第二对准标记转移到对应的曝光区域周围，在每二相邻曝光区域之间形成叠加的晶圆对准标记图案；及

测量所述叠加的晶圆对准标记图案的中心点的偏移量，确定所述光刻机对准参数变化情况。

9.根据权利要求8所述光刻机对准参数的检测方法，其特征在于：形成所述叠加的晶圆对准标记图案的步骤包括所述叠加的晶圆对准标记图案形成在所述第一切割道或者第二切割道上的步骤。

10.根据权利要求8所述光刻机对准参数的检测方法，其特征在于：对所述晶圆进行图形化制作工艺步骤包括对所述晶圆的曝光区域依序进行曝光，形成叠加的晶圆对准标记图案由所述第一对准标记和所述第二对准标记转移的图案叠加形成。