[发明专利]一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法有效
| 申请号： | 201010110100.1 | 申请日： | 2010-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800175A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 倪图强;高山星一;陶铮 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法，包括相互独立进行的刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，并且在刻蚀过程中交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。其中，在刻蚀步骤中提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含硅的绝缘材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；在侧壁钝化步骤中，提供一含硫成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含硫成份的聚合物，沉积或附着在所述刻蚀界面的侧壁表面。本发明刻蚀方法实现了对含硅绝缘层的快速刻蚀和对侧壁的保护，取得较好的外观轮廓，解决了现有技术刻蚀中刻蚀沟道或通孔出现的弧形侧壁和关键尺寸偏移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 等离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法，包括：刻蚀步骤，提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含硅的材料层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；侧壁钝化步骤，提供一含硫成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含硫成份的聚合物，沉积或附着在所述刻蚀界面的侧壁表面；交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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