[发明专利]一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法

权利要求书

1.一种含硅绝缘层的等离子刻蚀方法，包括：

刻蚀步骤，提供一刻蚀气体在等离子体作用下对所述含硅绝缘层进行刻蚀，并刻蚀至一定深度，以露出一刻蚀界面，所述刻蚀界面包括侧壁；

侧壁钝化步骤，提供一含硫成份的反应气体，在等离子体作用下，在所述刻蚀界面的侧壁形成含硫成份的聚合物，沉积或附着在所述刻蚀界面的侧壁表面；

交替循环所述刻蚀步骤和侧壁钝化步骤，直到刻蚀到达目标深度。

2.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括氟碳化合物C_xF_y或氟碳氢化合物C_xH_yF_z，其中x、y与z均为大于或等于1的自然数。

3.如权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体包括C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈、CF₄、CHF₃、CH₂F₂、CH₃F中的一种或至少两种的混合气体。

4.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述刻蚀气体进一步包括Ar或O₂或二者的混合气体。

5.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硫成份的反应气体选自COS、H₂S、CS₂、S₂Cl₂、S₂F₂、SF₂、SF₄、S₂F₁₀中的一种或所列气体中的至少两种的混合物。

6.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硫成份的反应气体为成份含硫与卤素的化合物气体。

7.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硅绝缘层为含SiO2、SiOF、SiOC、SiOCH、Si3N4的材料层中的一种。

8.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硅绝缘层为多孔或者掺杂了有机物质的Low-K材料。

9.如权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述含硫成份的反应气体还包括额外的聚合物形成气体碳氢化合物。