[发明专利]上电复位电路有效

专利信息
申请号: 201010108551.1 申请日: 2010-01-29
公开(公告)号: CN101795129A 公开(公告)日: 2010-08-04
发明(设计)人: 渡边考太郎;宇都宫文靖 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供上电复位电路,其适用于在低电源电压下工作的半导体装置。在输出复位信号后,当电源电压(VDD)高于第一输出电路反转阈值电压(Vz)时,第一控制电路(51)以不输出复位信号的方式工作。通过适当低进行电路设计降低该第一输出电路反转阈值电压(Vz),能够在低电源电压(VDD)下实现复位信号的输出和停止。
搜索关键词: 复位 电路
【主权项】:
一种上电复位电路,其在电源电压达到第一规定电压时输出复位信号,该上电复位电路的特征在于,具有:第一输出电路,其具有第一PMOS晶体管和第一电流源,且具有第一输出电路反转阈值电压,对第一控制电路进行控制;第二输出电路,其具有第二PMOS晶体管和第二电流源,且具有作为比所述第一输出电路反转阈值电压低的第二输出电路反转阈值电压的所述第一规定电压,该第二输出电路以如下方式进行工作:当所述电源电压高于所述第一规定电压时,输出所述复位信号;第一源极跟随电路,其被施加比所述第二输出电路反转阈值电压低的基准电压,向所述第一控制电路的输入端子输出基于所述基准电压的电压;第二源极跟随电路,其被施加所述基准电压,向所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极输出基于所述基准电压的电压;所述第一控制电路,其具有第一电容,且以如下方式进行工作:当所述电源电压高于所述第一输出电路反转阈值电压时,开始对所述第一电容进行充电,在经过规定时间后,不输出所述复位信号;以及第二控制电路,其具有第二电容,当所述电源电压低于第二规定电压时,该第二控制电路将所述第二电容与所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极连接起来。
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