[发明专利]集成电路结构

摘要

本发明公开了一种集成电路结构，包含含第一区域及第二区域的芯片。第一金属-绝缘层-金属电容器形成于第一区域中，具有第一底部电极；位于第一底部电极上的第一顶部电极；及第一电容绝缘层，邻接第一底部电极及第一顶部电极并位于其间。第二金属-绝缘层-金属电容器，位于第二区域中并实质上与第一金属-绝缘层-金属电容器同一层级，包含第二底部电极；位于第二底部电极上的第二顶部电极；及异于第一电容绝缘层的第二电容绝缘层，邻接第二底部电极及第二顶部电极并位于其间。第一顶部及底部电极可各自与第二顶部及底部电极同时形成。本发明减少了形成多种功能性电容器的工艺及复杂度，也改善了电容器的可靠度及所需使用的芯片面积。

主权项

一种集成电路结构，包括：一芯片，含有一第一区域及一第二区域；一第一金属-绝缘层-金属电容器，位于该第一区域中，其中该第一金属-绝缘层-金属电容器，包含：一第一底部电极；一第一顶部电极，位于该第一底部电极上；及一第一电容绝缘层，邻接该第一顶部电极及该第一底部电极且位于其间；以及一第二金属-绝缘层-金属电容器，位于该第二区域中且实质上与该第一金属-绝缘层-金属电容器同一层级，其中该第二金属-绝缘层-金属电容器，包含：一第二底部电极；一第二顶部电极，位于该第二底部电极上；及一第二电容绝缘层，邻接该第二顶部电极及该第二底部电极且位于其间，其中该第一电容绝缘层及该第二电容绝缘层不同。