[发明专利]双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法

摘要

提供一种具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件，其至少包括两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)。衬底包括具有第一电接触(2)的第一主侧(11)和具有第二电接触(3)的第二主侧(12)。第一导电类型的缓冲层(4)布置在所述基极层(10)上。交替包括第一导电类型的第一区域(51，51′)和第二导电类型的第二区域(52，52′)的第一层(5)布置在缓冲层(4)与第二电接触(3)之间。第二区域(52，52′)是具有最大2μm的深度和结轮廓的激活区域，其在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％。

主权项

用于制造具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件的方法，所述半导体器件至少包括具有第一和第二导电类型的层的两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)， 其中所述衬底(1)包括第一主侧(11)和第二主侧(12)， 其中第一主侧(11)布置在第二主侧(12)的相对侧， 其中第一电接触(2)布置在第一主侧(11)上， 其中第二电接触(3)布置在第二主侧(12)上， 其中第一导电类型的缓冲层(4)在第二主侧(12)上布置在所述基极层(10)上，所述缓冲层(4)具有比所述基极层(10)高的掺杂浓度，第一层(5)布置在所述衬底(1)中的缓冲层(4)与第二电接触(3)之间，第一层(5)交替包括至少一个第一导电类型的第一区域(51，51′)和至少一个第二导电类型的第二区域(52，52′)，所述制造方法包括如下步骤：提供所述衬底(1)，其中：对于创建第一层(5)，执行如下步骤： 对于创建第一区域(51，51′)，在第二主侧(12)上施加第一导电类型的微粒， 对于创建第二区域(52，52′)，在第二主侧(12)上施加第二导电类型的微粒， 之后在如下这种条件下激活第二导电类型的微粒：所述微粒扩散到所述衬底(1)中不大于2μm，并且第二区域(52，52′)的结轮廓在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％， 通过掩膜执行用于创建第一区域(51，51′)或第二区域(52)的微粒施加步骤中的至少一个。