[发明专利]双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法

权利要求书

1.用于制造具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件的方法，所述半导体器件至少包括具有第一和第二导电类型的层的两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)，

-其中所述衬底(1)包括第一主侧(11)和第二主侧(12)，

-其中第一主侧(11)布置在第二主侧(12)的相对侧，

-其中第一电接触(2)布置在第一主侧(11)上，

-其中第二电接触(3)布置在第二主侧(12)上，

-其中第一导电类型的缓冲层(4)在第二主侧(12)上布置在所述基极层(10)上，所述缓冲层(4)具有比所述基极层(10)高的掺杂浓度，

第一层(5)布置在所述衬底(1)中的缓冲层(4)与第二电接触(3)之间，第一层(5)交替包括至少一个第一导电类型的第一区域(51，51′)和至少一个第二导电类型的第二区域(52，52′)，所述制造方法包括如下步骤：

提供所述衬底(1)，其中：

对于创建第一层(5)，执行如下步骤：

-对于创建第一区域(51，51′)，在第二主侧(12)上施加第一导电类型的微粒，

-对于创建第二区域(52，52′)，在第二主侧(12)上施加第二导电类型的微粒，

-之后在如下这种条件下激活第二导电类型的微粒：所述微粒扩散到所述衬底(1)中不大于2μm，并且第二区域(52，52′)的结轮廓在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％，

-通过掩膜执行用于创建第一区域(51，51′)或第二区域(52)的微粒施加步骤中的至少一个。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：

-第一导电类型的微粒在如下这种条件下激活：所述微粒扩散到所述衬底(1)中不大于2μm。

3.如权利要求1或2中任一项所述的方法，其特征在于：满足至少一个如下几何规则：

-创建第一区域(51，51′)使得第一区域(51，51′)的结轮廓在最大1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％，

-第一区域(51)的深度等于或高于第二区域(52，52′)的深度。

4.如权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，施加用于创建至少一个所述区域的微粒，所述区域是第一区域和第二区域(51，51′，52，52′)，其中施加掺杂浓度为1*10¹⁷直到1*10²⁰cm^-3的用于创建第一区域(51，51′)的微粒和/或1*10¹⁶直到1*10¹⁸cm^-3的用于创建第二区域(52，52′)的微粒。

5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，用于创建至少一个作为第一区域和第二区域(51，51′，52，52′)的所述区域的所述微粒通过如下方式激活：

-通过激光退火，或者

-通过温度在400℃与1000℃之间的热处理，

-通过至多60分钟的热处理，

同时或一个接连一个地激活用于创建第一区域(51，51′)和第二区域(52)的微粒。

6.具有半导体衬底(1)的双极穿通半导体器件，其至少包括具有第一和第二导电类型的层的两层结构，其中一层是第一导电类型的基极层(10)，

-其中所述衬底包括第一主侧(11)和第二主侧(12)，

-其中第一主侧(11)布置在第二主侧(12)的相对侧，

-其中第一电接触(2)布置在第一主侧(11)上，

-其中第二电接触(3)布置在第二主侧(12)上，

-其中第一导电类型的缓冲层(4)在第二主侧(12)上布置在所述基极层(10)上，所述缓冲层(4)具有比所述基极层(10)高的掺杂浓度，

其中第一层(5)布置在所述衬底(1)中的在所述缓冲层(4)与第二电接触(3)之间，第一层(5)交替包括至少一个第一导电类型的第一区域(51，51′)和至少一个第二导电类型的第二区域(52，52′)，

-其中第二区域(52，52′)是激活区域，其具有最大2μm的深度，并且所述第二区域(52，52′)具有结轮廓，其在至多1μm内从最大掺杂浓度的90％降到10％。

7.如权利要求6所述的双极穿通半导体器件，其特征在于：第一区域(51，51′)是具有最大2μm深度的区域。