[发明专利]通过等离子体氧化处理的轮廓和CD均匀性控制无效
| 申请号： | 200980153702.0 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102272902A | 公开（公告）日： | 2011-12-07 |
| 发明（设计）人： | 庆华·钟;宋·曹;高里·卡马尔斯;琳达·布拉力 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种在衬底上方从具有水平表面和侧壁表面的非氧化硅的含硅的间隔层形成间隔的方法。提供了等离子体氧化处理以在所述间隔层上形成氧化硅涂层，其中所述氧化硅涂层提供所述间隔层的所述水平表面上的水平涂层和所述间隔层的所述侧壁表面上的侧壁涂层。提供了各向异性主刻蚀，其相对于所述间隔层的侧壁表面和所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层有选择地刻蚀所述间隔层和氧化硅涂层的水平表面。刻蚀所述间隔层，其中所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层保护所述间隔层的侧壁表面。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 等离子体 氧化 处理 轮廓 cd 均匀 控制 | ||
【主权项】：
在衬底上方从具有水平表面和侧壁表面的非氧化硅的含硅的间隔层形成间隔的方法，包括：(a)提供等离子体氧化处理以在所述间隔层上形成氧化硅涂层，其中所述氧化硅涂层提供所述间隔层的所述水平表面上的水平涂层和所述间隔层的所述侧壁表面上的侧壁涂层；(b)提供各向异性主刻蚀，其相对于所述间隔层的侧壁表面和所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层有选择地刻蚀所述间隔层和氧化硅涂层的水平表面；和(c)刻蚀所述间隔层，其中所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层保护所述间隔层的侧壁表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
