[发明专利]通过等离子体氧化处理的轮廓和CD均匀性控制

权利要求书

1.在衬底上方从具有水平表面和侧壁表面的非氧化硅的含硅的间隔层形成间隔的方法，包括：

(a)提供等离子体氧化处理以在所述间隔层上形成氧化硅涂层，其中所述氧化硅涂层提供所述间隔层的所述水平表面上的水平涂层和所述间隔层的所述侧壁表面上的侧壁涂层；

(b)提供各向异性主刻蚀，其相对于所述间隔层的侧壁表面和所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层有选择地刻蚀所述间隔层和氧化硅涂层的水平表面；和

(c)刻蚀所述间隔层，其中所述氧化硅涂层的所述侧壁涂层保护所述间隔层的侧壁表面。

2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在提供所述等离子体氧化处理之前将所述衬底置于等离子体刻蚀室中，其中所述室具有天线；和

在刻蚀所述间隔层后将所述衬底从所述等离子体刻蚀室中移除，其中所述提供等离子体氧化处理、提供各向异性主刻蚀和刻蚀所述间隔层在使用所述天线的相同的所述等离子体刻蚀室中进行。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述提供等离子体氧化处理，包括：

提供氧等离子体；和

溅射硅以与所述氧等离子体形成氧化硅或者将所述间隔层的硅转化为氧化硅中的至少一者。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述提供等离子体氧化处理包括所述溅射硅，其包括向所述衬底提供大于25伏特的偏压。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述提供氧等离子体，包括：

提供实质上由氧，或者氧和惰性稀释剂组成的氧化气体；和

从所述氧化气体形成等离子体。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述间隔层为硅或者氮化硅中的一种。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括在将所述衬底置于所述等离子体刻蚀室之前在等离子体刻蚀室表面上方形成氧化硅层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述等离子体氧化处理从所述等离子体刻蚀室溅射氧化硅以为所述等离子体氧化处理中形成的所述氧化硅层提供硅。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括在刻蚀所述间隔层后且从所述等离子体刻蚀室移除所述衬底前，去除所述氧化硅涂层。

10.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

从所述等离子体刻蚀室移除所述衬底；和

在所述衬底移除后清洁所述等离子体刻蚀室表面，其中于所述刻蚀室表面上方形成所述氧化硅层被重复执行，然后将每一衬底置于所述等离子体刻蚀室中，且在每一移除所述衬底后，重复执行所述清洁所述等离子体刻蚀室表面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述提供等离子体氧化处理，包括：

提供氧等离子体；和

溅射硅以与所述氧等离子体形成氧化硅或者将所述间隔层的硅转化为氧化硅中的至少一者。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述提供氧等离子体，包括：

提供实质上由氧组成的氧化气体；和

从所述氧化气体形成等离子体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述间隔层为硅或者氮化硅。

14.根据权利要求11所述的方法，进一步包括在等离子体刻蚀室表面上方形成氧化硅层，然后将所述衬底置于所述等离子体刻蚀室中。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述等离子体氧化处理从所述等离子体刻蚀室溅射氧化硅以为所述等离子体氧化处理中形成的所述氧化硅层提供硅。

16.根据权利要求1-2中任一项所述的方法，其中所述提供等离子体氧化处理，包括：

提供氧等离子体；和

溅射硅以与所述氧等离子体形成氧化硅或者将所述间隔层的硅转化为氧化硅中的至少一者。

17.根据权利要求1-2和16中任一项所述的方法，其中所述提供等离子体氧化处理包括所述溅射硅，其包括向所述衬底提供大于25伏特的偏压。

18.根据权利要求1-2和16-17中任一项所述的方法，其中所述提供氧等离子体，包括：

提供实质上由氧，或者氧和惰性稀释剂组成的氧化气体；和

从所述氧化气体形成等离子体。