[发明专利]硬铬层的电沉积方法有效
| 申请号： | 200980151479.6 | 申请日： | 2009-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102257184A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 赫尔穆特·霍舍姆克 | 申请（专利权）人： | 恩索恩公司 |
| 主分类号： | C25D5/00 | 分类号： | C25D5/00;C25D5/04;C25D5/08;C25D5/12;C25D5/18;C25D21/00;C25D21/04 |
| 代理公司： | 北京市安伦律师事务所 11339 | 代理人： | 吴华;李瑞峰 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及以高的沉积速率在基材表面上电沉积硬铬层的方法。根据本发明，在相对于环境压力降低的压力下使进行涂覆的基材表面与适合于电沉积的含铬电解液接触，并且在基材表面上沉积铬层期间在基材表面和电解液之间产生相对移动。 | ||
| 搜索关键词： | 硬铬层 沉积 方法 | ||
【主权项】：
一种在基材表面上电沉积硬铬层的方法，该方法具有以下步骤： 使进行涂覆的基材表面和适合于电沉积的含铬电解液之间产生接触； 在所述进行涂覆的基材表面和用于在该基材表面上电沉积硬铬层的对电极之间施加电压；其中所述沉积在与环境基本上气密的容器中进行，并且至少在施加电压期间在与环境基本上气密的该容器中建立低压力，并且其中所述基材表面和含铬电解液以0.1m/s至5m/s，优选＞1m/s至5m/s的速度彼此相对移动。
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