[发明专利]非易失性存储元件

摘要

本发明的非易失性存储元件具备：第一电极(103)；第二电极(109)；和电阻变化层(106)，其配置在第一电极和第二电极之间，基于施加于第一电极和第二电极之间的电信号，电阻值可逆地变化；第一电极和第二电极中的至少一个具备含有铂的含铂层(107)，电阻变化层至少具备不与含铂层物理接触的第一氧不足型过渡金属氧化物层(104)和配置在第一氧不足型过渡金属氧化物层与含铂层之间的、与含铂层物理接触的第二氧不足型过渡金属氧化物层(105)，将第一氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOx、将第二氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOy时，满足x＜y，含铂层的膜厚为1nm以上23nm以下，与电阻变化层物理接触。

主权项

一种非易失性存储元件，其特征在于，具备：第一电极；第二电极；和电阻变化层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间，基于施加于所述第一电极和所述第二电极之间的电信号，电阻值可逆地变化，所述电阻变化层含有氧不足型过渡金属氧化物，该氧不足型过渡金属氧化物是过渡金属的氧化物，是与具有化学计量学组成的氧化物相比、作为原子比的氧的含量较少的氧化物，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个具有含有铂的含铂层，所述电阻变化层至少具备不与所述含铂层物理接触的第一氧不足型过渡金属氧化物层和配置在所述第一氧不足型过渡金属氧化物层与所述含铂层之间的、与所述含铂层物理接触的第二氧不足型过渡金属氧化物层，将所述第一氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOx、将所述第二氧不足型过渡金属氧化物层中所含的氧不足型过渡金属氧化物表示为MOy时，满足x＜y，所述含铂层的膜厚为1nm以上、23nm以下，与所述电阻变化层物理接触。