[发明专利]离子植入控制的激发气体注入

摘要

一种利用受激及/或原子气体注入的离子源。在离子束应用中，可直接使用来源气体，如同已知的供应。另一方面或除此之外，来源气体可在引导至离子源处理室之前藉由通过远端等离子源予以变换。这可用以产生受激中性粒子、重离子、亚稳态分子或多价离子。在另一实施例中，使用多样的气体，其中一种或多种气体通过远端等离子产生器。在某些实施例中，气体在供应给离子源处理室之前于单一等离子产生器中予以组合。在等离子浸没应用中，等离子经由一个或多个额外的气体注入位置注入处理室。这些注入位置容许流入处理室外部的远端等离子源所产生的额外的等离子。

主权项

一种离子源，包括：a.离子处理室外壳，界定离子源处理室，其中分子经由一个或多个入口进入所述离子处理室外壳；b.气源，与远端等离子产生器交流；以及c.所述远端等离子产生器，具有与所述入口之一交流的输出，其中所述远端等离子产生器将所述气源所供应的气体在运送到所述离子处理室之前予以转换成变化状态。