[发明专利]离子植入控制的激发气体注入

权利要求书

1.一种离子源，包括：

a.离子处理室外壳，界定离子源处理室，其中分子经由一个或多个入口进入所述离子处理室外壳；

b.气源，与远端等离子产生器交流；以及

c.所述远端等离子产生器，具有与所述入口之一交流的输出，其中所述远端等离子产生器将所述气源所供应的气体在运送到所述离子处理室之前予以转换成变化状态。

2.根据权利要求1所述的离子源，还包括连接所述气源与所述入口之一的旁通阀。

3.根据权利要求1所述的离子源，还包括与第二等离子产生器交流的第二气源，并且所述第二等离子产生器具有与所述入口之一交流的输出，其中所述第二等离子产生器将所述第二气源所供应的气体在运送到所述离子处理室之前予以转换成变化状态。

4.根据权利要求3所述的离子源，还包括连接所述第二气源与所述入口之一的旁通阀。

5.根据权利要求1所述的离子源，还包括与所述远端等离子产生器交流的第二气源。

6.根据权利要求1所述的离子源，其中所述远端等离子源是选自由微波等离子源、螺旋等离子源、电感式耦合等离子源、电容式耦合等离子源、中空阴极等离子源以及基于灯丝的等离子源所构成的群组。

7.根据权利要求1所述的离子源，其中所述远端等离子源包括具有旁热式阴极的前室。

8.根据权利要求7所述的离子源，其中所述前室包括外壳，并且所述前室外壳的顶端表面包含所述离子处理室外壳的底部表面。

9.根据权利要求8所述的离子源，其中所述前室的所述顶端表面包含变化分子藉以穿越所述离子处理室外壳的孔隙。

10.根据权利要求9所述的离子源，其中使用磁场将离子禁闭于所述离子源处理室内，并且所述前室利用所述磁场。

11.根据权利要求9所述的离子源，其中所述前室内的压力大于所述离子源处理室内的压力。

12.一种来自离子源的特定离子物种的离子电流输出的改善方法，包括：

a.提供离子源，所述离子源包括：

i.离子处理室外壳，界定离子源处理室，其中分子经由一个或多个入口进入所述离子处理室外壳；

ii气源，与远端等离子产生器交流；以及

iii.所述远端等离子产生器，具有与所述入口之一交流的输出，其中所述远端等离子产生器将所述气源所供应的气体在运送到所述离子处理室之前予以转换成变化状态；以及

b.提供能量给所述远端等离子产生器，以便产生将运送到所述离子源的变化分子。

13.根据权利要求12所述的来自离子源的特定离子物种的离子电流输出的改善方法，其中所述远端等离子产生器的操作压力高于所述离子源，以便产生较重的中性粒子物种。

14.根据权利要求13所述的来自离子源的特定离子物种的离子电流输出的改善方法，其中所述特定的离子物种包括较重的离子物种。

15.根据权利要求12所述的来自离子源的特定离子物种的离子电流输出的改善方法，其中所述远端等离子产生器的操作功率高于所述离子源，以便产生更多的受激及分解的中性粒子物种。

16.根据权利要求15所述的来自离子源的特定离子物种的离子电流输出的改善方法，其中所述特定的离子物种包括单原子的离子物种，并且也包括多价离子物种。

17.一种等离子处理系统内中性分子及等离子两者的均匀度的改善方法，包括：

a.提供等离子处理系统，所述等离子处理系统包括：

i.处理室，具有配置于其内部的工件；

ii多个入口，分子藉以进入所述处理室；

iii.等离子产生器，用以将所述分子转换成等离子；

iv.气源，与远端等离子产生器交流；以及

v.所述远端等离子产生器，具有与所述多个入口之一交流的输出；以及

b.提供能量给所述远端等离子产生器，以便产生将运送到所述多个入口之一的变化分子。

18.根据权利要求17所述的等离子处理系统内中性分子及等离子两者的均匀度的改善方法，还包括调节进入每一个所述入口的所述变化分子的流量，以便控制所述处理室的中性粒子及离子物种两者的均匀度。