[发明专利]电子材料用Cu-Ni-Si-Co系铜合金及其制造方法有效
| 申请号： | 200980147901.0 | 申请日： | 2009-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN102227510A | 公开（公告）日： | 2011-10-26 |
| 发明（设计）人： | 桑垣宽 | 申请（专利权）人： | JX日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C22C9/06 | 分类号： | C22C9/06;C22C9/00;C22C9/01;C22C9/02;C22C9/04;C22C9/05;C22C9/10;C22F1/08;C22F1/00;C22F1/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 庞立志;高旭轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供Cu-Ni-Si-Co系铜合金，其能够以高水平实现强度与导电率，同时抗永久变形性也优异。电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu及不可避免的杂质所构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012～1×1014个／mm3；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 材料 cu ni si co 铜合金 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
电子材料用铜合金，其是含有Ni：1.0～2.5质量%、Co：0.5～2.5质量%、Si：0.3～1.2质量%，且剩余部分由Cu和不可避免的杂质构成的电子材料用铜合金，其中，母相中析出的第二相粒子中，粒径为5nm以上、50nm以下的粒子的个数密度为1×1012～1×1014个／mm3；粒径为5nm以上、小于20nm的粒子的个数密度以相对于粒径为20nm以上、50nm以下的粒子的个数密度的比例来表示，为3～6。
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