[发明专利]具有可调节截止波长的高工作温度势垒红外检测器无效
申请号: | 200980147121.6 | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN102224603A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 大卫·Z·廷;科里·J·希尔;亚历山大·索伊贝尔;苏米斯·V·班达拉;瑟勒特·D·古纳帕拉 | 申请(专利权)人: | 加利福尼亚技术学院 |
主分类号: | H01L31/101 | 分类号: | H01L31/101 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人: | 陆鑫;高雪琴 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明描述了一种具有吸收材料的势垒红外检测器及其制造方法,该吸收材料具有可选择的截止波长。使GaInAsSb吸收层在GaSb衬底层上生长,该衬底层由按照吸收混合比混合GaSb和InAsSb形成。然后,GaAlAsSb势垒层在按照势垒混合比混合GaSb和AlSbAs形成的势垒层上生长。选择吸收混合比以调节吸收层的带隙,从而确定用于势垒红外检测器的截止波长。吸收混合比可以沿吸收层生长方向改变。可以使用各种接触层结构。此外,可以将顶部接触层分隔成元件阵列,这些元件阵列被电隔离成可用于检测器阵列、成像阵列、焦平面阵列的单独的功能检测器。 | ||
搜索关键词: | 具有 调节 截止 波长 工作温度 红外 检测器 | ||
【主权项】:
一种势垒红外检测器装置,包括:衬底层,所述衬底层包括衬底GaSb;吸收层,所述吸收层与所述衬底层基本晶格匹配,并且所述吸收层包括按照在InAsSb和吸收GaSb之间的吸收混合比混合吸收GaSb和InAsSb而形成的GaInAsSb;势垒层,所述势垒层设置在所述吸收层上,并且所述吸收层包括按照在AlSbAs和势垒GaSb之间的势垒混合比混合势垒GaSb和AlSbAs而形成的GaAlAsSb。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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