[发明专利]具有可调节截止波长的高工作温度势垒红外检测器

权利要求书

1.一种势垒红外检测器装置，包括：

衬底层，所述衬底层包括衬底GaSb；

吸收层，所述吸收层与所述衬底层基本晶格匹配，并且所述吸收层包括按照在InAsSb和吸收GaSb之间的吸收混合比混合吸收GaSb和InAsSb而形成的GaInAsSb；

势垒层，所述势垒层设置在所述吸收层上，并且所述吸收层包括按照在AlSbAs和势垒GaSb之间的势垒混合比混合势垒GaSb和AlSbAs而形成的GaAlAsSb。

2.一种用于制造势垒红外检测器的方法，包括：

设置包括衬底GaSb的衬底层；

使与所述衬底层基本晶格匹配的吸收层生长，并且所述吸收层包括按照在InAsSb和吸收GaSb之间的吸收混合比混合吸收GaSb和InAsSb而形成的GaInAsSb；

使设置在所述吸收层上的势垒层生长，并且所述势垒层包括按照在AlSbAs和势垒GaSb之间的势垒混合比混合势垒GaSb和AlSbAs而形成的GaAlAsSb。

3.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中混合入所述吸收层中的所述InAsSb包括InAs_0.91Sb_0.09，并且混合入所述势垒层中的所述AlSbAs包括AlSb_0.92As_0.08。

4.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中所述势垒层与所述吸收层和所述衬底层基本晶格匹配。

5.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中所述吸收混合比沿着吸收层生长方向改变。

6.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中选择所述吸收混合比，以调节所述吸收层的带隙，并且从而确定用于所述势垒红外检测器件的截止波长。

7.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中选择所述势垒混合比，以便所述势垒层和所述吸收层的价带边匹配。

8.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，其中所述势垒混合比沿势垒层生长方向改变。

9.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，进一步包括沉积在所述吸收层的露出吸收区上的底部金属接触件。

10.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，进一步包括设置在所述衬底层和所述吸收层之间的底部接触层以及沉积在露出的底部接触区上的底部金属接触件。

11.根据前述任一权利要求所述的装置或方法，进一步包括设置在所述势垒层上的顶部接触层。

12.根据权利要求11所述的装置或方法，其中所述顶部接触层包括按照顶部接触混合比混合顶部接触GaSb和顶部接触InAsSb而形成的顶部接触件GaInAsSb，所述顶部接触混合比与所述吸收混合比不同。

13.根据权利要求11所述的装置或方法，其中所述顶部接触层是n-掺杂。

14.根据权利要求11所述的装置或方法，其中所述顶部接触层包括的掺杂不同于所述吸收层的掺杂。

15.根据权利要求11所述的装置或方法，其中所述顶部接触层被分隔成元件阵列。

16.根据权利要求15所述的装置或方法，进一步包括在所述顶部接触层的阵列的每个元件上沉积的分隔开的顶部金属接触件。