[发明专利]嵌埋硅/锗材料相对沟道区的偏移降低的晶体管有效
| 申请号： | 200980147114.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102282668A | 公开（公告）日： | 2011-12-14 |
| 发明（设计）人： | S·克朗霍尔兹;M·连斯基;A·魏;A·奥特 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;龚颐雯 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 应变诱导半导体合金可基于具有非矩形形状的开口形成，通过提供适当的保护层例如二氧化硅材料，即使在相应的高温处理期间也可保持该非矩形形状，从而降低该应变诱导半导体材料的横向偏移，同时在该开口蚀刻制程期间仍使相应的偏移侧间隙壁具有足够的厚度，以保持栅极电极的完整性。例如，p沟道晶体管可具有呈六角形的硅/锗合金，以显着增强总体应变传递效率。 | ||
| 搜索关键词： | 嵌埋硅 材料 相对 沟道 偏移 降低 晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在与半导体器件的晶体管的栅极电极结构邻近的含硅结晶半导体区中形成开口，该栅极电极结构包括形成于其侧壁上的偏移侧间隙壁；在该开口的暴露表面上形成保护层；在第一高温下将该半导体器件引入制程环境中；调整该制程环境以获得较低的第二温度；在该制程环境中移除该保护层；以及在该第二温度的该制程环境中于该开口中形成半导体合金。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
