[发明专利]新型化合物及其制备方法、有机半导体材料和有机半导体装置有效

专利信息
申请号: 200980146474.4 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN102224157A 公开(公告)日: 2011-10-19
发明(设计)人: 泷宫和男 申请(专利权)人: 国立大学法人广岛大学
主分类号: C07D495/04 分类号: C07D495/04;C07D517/04;H01L51/05;H01L51/30
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 贾玉
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供电子迁移率良好的新型化合物及其制备方法、以及含有该新型化合物的有机半导体材料和有机半导体装置。该新型化合物具有如式(1)、式(2)、式(3)或式(4)所表示的、在萘的2个苯环上分别结合噻吩环或硒酚环的结构,式中,Z表示硫原子或硒原子,R表示氢原子、烷基或苯基。这些化合物通过π轨道的相互作用而在各分子内具有共轭系,还显示出通过在各分子的噻吩环或硒酚环中含有的硫原子或硒原子而产生的分子间的强相互作用,因而具有良好的电子迁移率。
搜索关键词: 新型 化合物 及其 制备 方法 有机 半导体材料 有机半导体 装置
【主权项】:
1.一种化合物,其为由以下式(1)、式(2)、式(3)或式(4)所表示的化合物,上述式中,Z表示硫原子或硒原子,R表示氢原子、烷基或苯基。
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