[发明专利]降低光刻胶层在等离子体浸没式离子注入中降解的方法无效
| 申请号： | 200980145214.5 | 申请日： | 2009-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102217039A | 公开（公告）日： | 2011-10-12 |
| 发明（设计）人： | 马丁·A·希尔金;卡提克·桑瑟南姆;延·B·塔;彼得·I·波尔什涅夫;马耶德·A·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法，该工件在其顶表面具有光刻胶掩模，该方法用以防止由该光刻胶碳化引起的光刻胶失效。该方法包括执行连续离子注入子步骤，每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间，在该段持续时间期间，仅该光刻胶层的部分顶部分受到离子注入损害。在每一个所述连续离子注入子步骤之后，通过执行灰化子步骤除去该光刻胶的该部分顶部分，并且同时将该光刻胶层剩余部分留在原位置。该连续离子注入子步骤的数目足以达到该工件中的预设离子注入剂量。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 光刻 等离子体 浸没 离子 注入 降解 方法 | ||
【主权项】：
一种用于工件的等离子体浸没式离子注入方法，该工件在其顶表面上具有光刻胶层，该方法包含以下步骤：执行数个连续离子注入子步骤，每一个所述离子注入子步骤都具有一段持续时间，在该段持续时间期间，通过移除氢所造成的转变通常限于该光刻胶层的顶部分；在每一个所述连续离子注入子步骤之后，通过执行灰化子步骤而移除所述顶部分，并且同时将所述光刻胶层的剩余部分留在原位置；其中所述连续离子注入子步骤的数目足以达到所述工件的区域中的预设离子注入剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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