[发明专利]形成多个晶体管栅极的方法及形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法有效
| 申请号： | 200980143451.8 | 申请日： | 2009-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102203923A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 古尔特杰·S·桑胡;马克·基尔鲍赫 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包含在衬底上方形成具有不同宽度的第一及第二晶体管栅极，其中第一宽度比第二宽度窄。在所述衬底上方包含在所述第一及第二栅极上方沉积材料。在蚀刻室内，从所述第一及第二栅极两者上方蚀刻所述材料以暴露所述第一栅极的导电材料且减小接纳于所述第二栅极上方的所述材料的厚度但仍使所述第二栅极被所述材料覆盖。在所述蚀刻之后原位地在所述蚀刻室内，使所述衬底在至少300℃的衬底温度下经受包括金属的等离子以将所述金属扩散到所述第一栅极中，从而相比于所述第二栅极的功函数修改所述第一栅极的功函数。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 栅极 方法 具有 至少 不同 函数 | ||
【主权项】：
一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包括：在衬底上方形成第一及第二晶体管栅极，所述第一栅极具有第一宽度且所述第二栅极具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度窄；在所述衬底上方包含在所述第一及第二栅极上方沉积材料；在蚀刻室内，从所述第一及第二栅极两者上方蚀刻所述材料以暴露所述第一栅极的导电材料且减小接纳于所述第二栅极上方的所述材料的厚度但仍使所述第二栅极被所述材料覆盖；及在所述蚀刻之后原位地在所述蚀刻室内，使所述衬底在至少300℃的衬底温度下经受包括金属的等离子以将所述金属扩散到所述第一栅极中，从而相比于所述第二栅极的功函数修改所述第一栅极的功函数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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