[发明专利]形成多个晶体管栅极的方法及形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法

权利要求书

1.一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包括：

在衬底上方形成第一及第二晶体管栅极，所述第一栅极具有第一宽度且所述第二栅极具有第二宽度，所述第一宽度比所述第二宽度窄；

在所述衬底上方包含在所述第一及第二栅极上方沉积材料；

在蚀刻室内，从所述第一及第二栅极两者上方蚀刻所述材料以暴露所述第一栅极的导电材料且减小接纳于所述第二栅极上方的所述材料的厚度但仍使所述第二栅极被所述材料覆盖；及

在所述蚀刻之后原位地在所述蚀刻室内，使所述衬底在至少300℃的衬底温度下经受包括金属的等离子以将所述金属扩散到所述第一栅极中，从而相比于所述第二栅极的功函数修改所述第一栅极的功函数。

2.根据权利要求1所述的方法，其中接纳于所述第二栅极上方的所述材料屏蔽所述金属中的任何金属以使其不在所述经受期间扩散到所述第二栅极中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述经受还将所述金属扩散到接纳于所述第二栅极上方的所述材料中。

4.根据权利要求3所述的方法，其中接纳于所述第二栅极上方的所述材料屏蔽所述金属中的任何金属以使其不在所述经受期间扩散到所述第二栅极中。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述金属中的一些金属还扩散到所述第二栅极中。

6.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述衬底上方第一区内形成多个所述第一栅极；关于所述多个所述第一栅极发生所述沉积、蚀刻及经受。

7.根据权利要求6所述的方法，其包括：在所述衬底上方不同于所述第一区的第二区内形成多个所述第二栅极；关于所述多个所述第二栅极发生所述沉积及蚀刻。

8.根据权利要求1所述的方法，其中将所述材料沉积为小于所述第一及第二栅极中的每一者的厚度的厚度。

9.根据权利要求8所述的方法，其中大致保形地沉积所述材料且所述材料具有非平面最外表面。

10.根据权利要求1所述的方法，其中将所述材料沉积为大于所述第一及第二栅极中的每一者的厚度的厚度，且将所述材料沉积为具有平面最外表面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中从有机金属化合物获得所述等离子中的所述金属。

12.根据权利要求1所述的方法，其中在所述材料中的任何材料上方未接纳任何掩模的情况下发生所述蚀刻及经受。

13.一种形成具有至少两种不同功函数的多个晶体管栅极的方法，其包括：

在衬底上方形成多个晶体管栅极，所述晶体管栅极包括导电区域；

在所述晶体管栅极的所述导电区域上方提供材料，所述材料具有与所述晶体管栅极的所述导电区域的最外部分的组成不同的组成；

在提供所述材料之后，形成掩模以覆盖所述晶体管栅极中的一些晶体管栅极且使所述晶体管栅极中的其它晶体管栅极不被所述掩模覆盖；

在蚀刻室内且在形成所述掩模之后，蚀刻所述材料以使其不被接纳于未被所述掩模覆盖的所述晶体管栅极上方；及

在所述蚀刻之后原位地在所述蚀刻室内，使所述衬底在至少300℃的衬底温度下经受包括金属的等离子以将所述金属扩散到未被所述掩模覆盖的所述晶体管栅极的所述导电区域中，从而相比于被所述掩模覆盖的所述晶体管栅极的功函数修改未被所述掩模覆盖的所述晶体管栅极的功函数。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述材料为绝缘的。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述材料为导电的或半导电的。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述掩模屏蔽所述金属中的任何金属以使其不扩散到被所述掩模覆盖的所述晶体管栅极的所述导电区域中。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电区域的至少所述最外部分包括元素形式金属或元素形式金属的合金中的至少一者。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所有所述导电区域基本上由一种或一种以上元素形式金属或一元素形式金属合金组成。

19.根据权利要求13所述的方法，其中所述导电区域的至少所述最外部分包括经导电掺杂多晶硅，所述经受在所述导电区域内形成导电金属硅化物。