[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200980143428.9 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN102203969A | 公开（公告）日： | 2011-09-28 |
| 发明（设计）人： | 彼得·布里克;哈根·勒克纳;马蒂亚斯·扎巴蒂尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 说明了一种发光二极管芯片。该发光二极管芯片包括：半导体层序列，其具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一电连接层，其触碰和导电接触半导体层序列。第一电连接层尤其是借助多个接触面(21)触碰并且接触半导体层序列。在该发光二极管芯片的情况下，有目的地通过将接触面的面密度沿着半导体层序列的主延伸平面不均匀分布来设置在半导体层序列中的不均匀的电流密度分布或者电流分布。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其具有：半导体层序列，所述半导体层序列具有适于产生电磁辐射的有源层；以及第一电连接层，其借助多个接触面触碰并且导电接触半导体层序列，其中有目的地通过将接触面的面密度沿着半导体层序列的主延伸平面不均匀分布来设置在半导体层序列中的不均匀的电流密度分布，使得半导体层序列或者发光二极管芯片的主耦合输出面的第一区域具有为半导体层序列或者发光二极管芯片的主耦合输出面的至少一个第二区域至少三倍的辐照强度或者照明强度。
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