[发明专利]利用金属氧化物选择性穿透自组装嵌段共聚物的方法,形成金属氧化物结构的方法和包括其的半导体结构有效
| 申请号： | 200980143002.3 | 申请日： | 2009-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102196991A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 丹·B·米尔沃德;蒂莫西·A·奎克;J·尼尔·格里利 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | C01B13/14 | 分类号： | C01B13/14;C08J5/18;C08L39/08;C08L25/08;C08K3/22 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示形成金属氧化物结构的方法和使用经调配用于自组装的嵌段共聚物系统在衬底上形成金属氧化物图案的方法。所述金属氧化物结构和图案可用作(例如)掩模用于半导体装置制造的不同阶段期间的亚光刻图案化。在所述衬底的沟槽内且包括至少一个可溶嵌段和至少一个不可溶嵌段的嵌段共聚物可经退火以形成自组装图案，所述自组装图案包括多个与所述沟槽横向对准且位于所述不可溶嵌段基质内的所述可溶嵌段的重复单元。可将所述自组装图案暴露于浸渍所述可溶嵌段的金属氧化物前体。所述金属氧化物前体可经氧化以形成金属氧化物。可去除所述自组装图案，以在所述衬底表面上形成金属氧化物线图案。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 金属 氧化物 选择性 穿透 组装 共聚物 方法 形成 结构 包括 半导体 | ||
【主权项】：
一种形成金属氧化物结构的方法，其包含：将包含至少两个实质上彼此不混溶的聚合嵌段的材料施加于上覆于衬底上的材料中的至少一个沟槽上；使所述材料退火以形成包含重复域的膜，所述重复域包含所述聚合嵌段中的至少一者且由包含所述聚合嵌段中的至少另一者的基质包围；将所述膜暴露于包含至少一种金属氧化物前体的溶胀剂中；和氧化所述金属氧化物前体以形成金属氧化物。
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