[发明专利]在影像感应器与光电接合中改善暗电流与降低缺陷无效
申请号: | 200980142556.1 | 申请日: | 2009-10-29 |
公开(公告)号: | CN102203944A | 公开(公告)日: | 2011-09-28 |
发明(设计)人: | 迪帕克·瑞曼帕;丹尼斯·罗迪尔 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L31/042 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 在感光装置的制造期间,通过已改善的物种的植入来降低感光装置内的暗电流。暗电流可经由光二极管装置中的缺陷来引起,或于制造期间使用退火、植入或其他制程步骤来引起。经由非晶化光二极管范围中的工作部件,可消除大量的缺陷,从而消除此暗电流的原因。暗电流也可经由相邻STI所感应的应力来引起,其中衬与填充材料所产生的应力会加重工作部件中的缺陷。经由非晶化沟渠的侧壁与底部表面,可消除于蚀刻期间所产生的缺陷。此缺陷中的降低也可减少感光装置中的暗电流。 | ||
搜索关键词: | 影像 感应器 光电 接合 改善 电流 降低 缺陷 | ||
【主权项】:
一种于工作部件上降低感光装置中的暗电流的方法,包括:蚀刻该工作部件中的一浅沟渠,该沟渠包括多个侧壁与一底部表面;执行一氧化或氮化步骤来产生该沟渠的该些侧壁与该底部表面的一层;非晶化该沟渠的该些侧壁与该底部表面;以材料填满该沟渠;以及相邻该沟渠形成该感光装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的