[发明专利]薄膜晶体管的制造方法、薄膜晶体管

摘要

本发明涉及薄膜晶体管的制造方法以及薄膜晶体管，提供一种即使暴露在氢等离子体中也不会剥离的金属布线膜。由含有铜、Ca、氧的紧贴层（51）、电阻比紧贴层（51）低的金属低电阻层（52）（铜合金或者纯铜的层）构成金属布线膜（20a）。在紧贴层（51）中含有包含Ca和氧的铜合金，当构成与欧姆接触层（18）紧贴的源极电极膜（27）和漏极电极膜（28）时，即使暴露在氢等离子体中，在紧贴层（51）和欧姆接触层（18）的界面形成的含有Cu氧化物也不被还原，在紧贴层（51）和硅层之间不会发生剥离。

主权项

一种薄膜晶体管的制造方法，具有：栅极电极形成工序，在处理对象物上形成栅极电极；栅极绝缘层形成工序，在所述栅极电极上形成栅极绝缘层；高电阻半导体层形成工序，在所述栅极绝缘层上形成由半导体层构成的高电阻半导体层；欧姆接触层形成工序，在所述半导体层上形成欧姆接触层；金属布线膜形成工序，在所述欧姆接触层上形成金属布线膜；以及刻蚀工序，对所述欧姆接触层和所述金属布线膜进行构图，由所述欧姆接触层形成源极区域和漏极区域，由所述金属布线膜形成所述源极区域上的源极电极和所述漏极区域上的漏极电极，其中，所述金属布线膜形成工序包括紧贴层形成工序，在该紧贴层形成工序中，在真空环境中导入包括溅射气体和氧化性气体的气体，对含有Ca和铜的铜合金靶进行溅射，在所述欧姆接触层上形成含有铜、Ca、氧的紧贴层。