[发明专利]集成电路装置的共质心静电放电保护有效

专利信息
申请号: 200980140477.7 申请日: 2009-07-13
公开(公告)号: CN102177583A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 詹姆士·卡普 申请(专利权)人: 吉林克斯公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;姜精斌
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上,以共享共用质心(130),其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上,其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入,且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。
搜索关键词: 集成电路 装置 质心 静电 放电 保护
【主权项】:
一种用于保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免于静电放电(ESD)的系统,其特征在于,所述系统包括:装置阵列对,其包括定位在所述IC上共享共用质心的第一装置阵列和第二装置阵列,其中所述第一装置阵列和所述第二装置阵列是匹配的;以及ESD二极管阵列对,其包括邻近于包围所述装置阵列对的第一周边而定位在所述IC上的第一ESD二极管阵列和第二ESD二极管阵列,其中所述第一ESD二极管阵列和所述第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的,其中所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第一装置阵列的输入,且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第二装置阵列的输入。
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