[发明专利]集成电路装置的共质心静电放电保护有效
申请号: | 200980140477.7 | 申请日: | 2009-07-13 |
公开(公告)号: | CN102177583A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 詹姆士·卡普 | 申请(专利权)人: | 吉林克斯公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;姜精斌 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免受静电放电(ESD)的方法可包含将包括第一(245)和第二(250)装置阵列的装置阵列对(104和108)定位在所述IC上,以共享共用质心(130),其中所述第一和第二装置阵列是匹配的。包括第一(220)和第二(225)ESD二极管阵列的ESD二极管阵列对(110)可邻近于包围所述第一和第二装置阵列的第一周边(115)而定位在所述IC上,其中所述第一和第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的。所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管(220)的阴极端子可耦合到所述第一装置阵列(245)的输入,且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管(225)的阴极端子可耦合到所述第二装置阵列(250)的输入。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 装置 质心 静电 放电 保护 | ||
【主权项】:
一种用于保护实施于集成电路(IC)内的电路设计免于静电放电(ESD)的系统,其特征在于,所述系统包括:装置阵列对,其包括定位在所述IC上共享共用质心的第一装置阵列和第二装置阵列,其中所述第一装置阵列和所述第二装置阵列是匹配的;以及ESD二极管阵列对,其包括邻近于包围所述装置阵列对的第一周边而定位在所述IC上的第一ESD二极管阵列和第二ESD二极管阵列,其中所述第一ESD二极管阵列和所述第二ESD二极管阵列共享所述共用质心且是匹配的,其中所述第一ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第一装置阵列的输入,且所述第二ESD二极管阵列的每一ESD二极管的阴极端子耦合到所述第二装置阵列的输入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林克斯公司,未经吉林克斯公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200980140477.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:串口界面式振动电机驱动装置
- 下一篇:用于检测旋转零件转角的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的