[发明专利]具有可调电阻的硅基纳米级电阻器件无效
申请号: | 200980139738.3 | 申请日: | 2009-10-08 |
公开(公告)号: | CN102177584A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 卢伟;赵成现;金局奂 | 申请(专利权)人: | 密执安大学评议会 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 李娜;卢江 |
地址: | 美国密*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种非易失性固态电阻器件,所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三(金属)电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。 | ||
搜索关键词: | 具有 可调 电阻 纳米 器件 | ||
【主权项】:
一种非易失性固态电阻器件,包括:第一电极;p型硅第二电极;以及非结晶硅纳米结构,所述非结晶硅纳米结构电连接在所述电极之间使得所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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