[发明专利]碳化硅半导体器件无效
| 申请号： | 200980139350.3 | 申请日： | 2009-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102171827A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 原田真;玉祖秀人;畑山智亮 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学 |
| 主分类号： | H01L29/12 | 分类号： | H01L29/12;H01L21/28;H01L21/336;H01L21/337;H01L29/417;H01L29/78;H01L29/808 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种碳化硅半导体器件，其能够降低欧姆电极的接触电阻并实现高击穿电压特性。该半导体器件(1)包括衬底(2)和作为杂质层的p+区(25)。第一导电类型(n型)的衬底(2)由碳化硅制成并具有5×103cm-2或更小的位错密度。该p+区(25)被形成在衬底(2)上，其中具有与第一导电类型不同的第二导电类型的导电性杂质的浓度为1×1020cm-3或更大且5×1021cm-3或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体器件(1)，包括：第一导电类型的衬底(2)，所述第一导电类型的衬底(2)由碳化硅制成且具有5×103cm‑2或更小的位错密度；以及杂质层(25、36、54)，所述杂质层(25、36、54)被形成在所述衬底(2)上，具有与所述第一导电类型不同的第二导电类型的导电性杂质的浓度为1×1020cm‑3或更大且5×1021cm‑3或更小。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学，未经住友电气工业株式会社;国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980139350.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
