[发明专利]非易失性存储器中的数据错误恢复有效

专利信息
申请号: 200980139239.4 申请日: 2009-12-03
公开(公告)号: CN102171659A 公开(公告)日: 2011-08-31
发明(设计)人: R·库尔森;A·法齐奥;J·卡恩 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G06F11/08 分类号: G06F11/08;G06F12/16
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 刘瑜;王英
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 当纠错码(ECC)单元在固态非易失性存储器设备中发现了不可校正的错误时,可以使用一种处理过程来试图定位和校正错误。这个处理过程可以首先识别可能包含错误的“低信度”存储单元,然后基于各种标准确定在这些单元中哪些数据更可能被校正。然后,可以用ECC单元来检查新数据,以验证对于ECC单元来说,所述新数据是足够正确的从而可以校正任何剩余的错误。
搜索关键词: 非易失性存储器 中的 数据 错误 恢复
【主权项】:
一种方法,包括:确定从基于电荷的非易失性(NV)存储器的指定范围的连续存储位置中读取的二进制数据包含未被与所述NV存储器相关联的纠错码(ECC)单元校正的错误;识别所述指定范围内的哪些存储单元产生了可能出错的数据;改变其数据被确定为可能出错的所述单元中的至少一些单元的数据;以及验证改变后的数据对于所述ECC单元来说是否足够正确以用来为所述指定范围提供正确的数据。
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