[发明专利]非易失性存储器中的数据错误恢复

权利要求书

1.一种方法，包括：

确定从基于电荷的非易失性(NV)存储器的指定范围的连续存储位置中读取的二进制数据包含未被与所述NV存储器相关联的纠错码(ECC)单元校正的错误；

识别所述指定范围内的哪些存储单元产生了可能出错的数据；

改变其数据被确定为可能出错的所述单元中的至少一些单元的数据；以及

验证改变后的数据对于所述ECC单元来说是否足够正确以用来为所述指定范围提供正确的数据。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述的识别包括：

为至少所述指定范围内的存储单元生成电荷电平值的映射表；以及

将所述映射表中各组单元的电荷电平值与电荷电平的预定义模式进行比较，以识别哪些存储单元产生了可能出错的二进制数据。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述的识别包括：

确定所述指定范围内的单元的模拟电荷值；以及

确定所述指定范围内的哪些单元的模拟电荷值在所述NV存储器的读基准电压的预定电压量的范围内。

4.如权利要求1所述的方法，其中，所述的改变包括：

调整被识别为可能出错的存储单元的模拟电荷值。

5.如权利要求1所述的方法，其中，所述的改变包括：

用随机二进制数据替代来自被识别为可能出错的存储单元的数据。

6.如权利要求1所述的方法，还包括：

在一电压范围内增加读基准电压；

对于每次增加，从所述指定范围的连续存储位置中读取二进制数据；以及

识别哪些单元在当前的增加中产生了与前一次增加中不同的二进制数据。

7.如权利要求1所述的方法，其中，所述指定范围的连续存储位置是存储器的页。

8.一种装置，包括：

包含处理器和基于电荷的非易失性(NV)存储器的计算机系统，该计算机系统用于执行：

确定从所述NV存储器的指定范围的连续存储位置中读取的二进制数据包含未被与所述NV存储器相关联的纠错码(ECC)单元校正的错误；

识别所述指定范围内的哪些存储单元产生了可能出错的数据；

改变其数据被确定为可能出错的所述单元中的至少一些单元的数据；以及

验证改变后的数据对于所述ECC单元来说是否足够正确以用来为所述指定范围提供正确的数据。

9.如权利要求8所述的装置，其中，所述的识别包括：

为至少所述指定范围内的存储单元生成电荷电平值的映射表；以及

将所述映射表中各组单元的电荷电平值与电荷电平的预定义模式进行比较，以识别哪些存储单元产生了可能出错的二进制数据。

10.如权利要求8所述的装置，其中，所述的识别包括：

确定所述指定范围内的单元的模拟电荷值；以及

确定所述指定范围内的哪些单元的模拟电荷值在所述NV存储器的读基准电压的预定电压量的范围内。

11.如权利要求8所述的装置，其中，所述的改变包括：

调整被识别为可能出错的存储单元的模拟电荷值。

12.如权利要求8所述的装置，其中，所述的改变包括：

用随机二进制数据替代来自被识别为可能出错的存储单元的数据。

13.如权利要求8所述的装置，还包括：

在一电压范围内增加读基准电压；

对于每次增加，从所述指定范围的连续存储位置中读取二进制数据；以及

识别哪些单元在当前的增加中产生了与前一次增加中不同的二进制数据。

14.一种制品，包括：

包含指令的有形计算机可读介质，所述指令当被一个或更多个处理器执行时，导致执行以下操作，包括：

确定从基于电荷的非易失性(NV)存储器的指定范围的连续存储位置中读取的二进制数据包含未被与所述NV存储器相关联的纠错码(ECC)单元校正的错误；

识别所述指定范围内的哪些存储单元产生了可能出错的数据；

改变其数据被确定为可能出错的所述单元中的至少一些单元的数据；以及

验证改变后的数据对于所述ECC单元来说是否足够正确以用来为所述指定范围提供正确的数据。