[发明专利]非易失性存储器中的数据错误恢复

说明书

背景技术

一些类型的固态非易失性存储器，诸如闪速存储器，通过将某一数量的电荷存储在存储单元(memory cell)中来记录二进制数据。当从这些基于电荷的非易失性存储器中的一个中读取数据时，将已存储电荷的电压电平与基准电压进行比较。从上述单元中读取的数据的二进制值取决于已存储电荷的电压是高于基准电压还是低于基准电压。然而，因为已存储的电荷是一种模拟现象，它的实际值可能并不恰好是所期望的值；当数据被读取时，可能会遇到错误。纠错码(ECC)单元可以用于检测和校正这些错误中的一些，但是有时错误太多以至于不能将所有的错误都以这种方式来校正。当上述情况发生时，数据可能永久丢失。

附图说明

通过参考用于说明本发明的实施例的以下描述和附图，可以理解本发明的一些实施例。在附图中：

图1示出了根据本发明的一实施例的包含固态非易失性存储器的系统；

图2示出了根据本发明的一实施例的非易失性存储器阵列的一部分；

图3示出了根据本发明的一实施例的校正存储器中的错误的方法的流程图；

图4示出了根据本发明的一实施例的可以影响目标单元的电荷模式的例子；

图5示出了根据本发明的一实施例的用于识别NV存储器阵列中的低信度单元的模式匹配方法的流程图；

图6示出了根据本发明的一实施例的通过采用与基准电压的接近度来识别NV存储器阵列中的低信度单元的方法的流程图；

图7示出了根据本发明的一实施例的通过对模拟电荷值的调整来校正NV存储器中的数据的方法的流程图。

具体实施方式

在下述说明书中，阐述了许多具体细节。然而，应当理解，可以实施本发明的实施例而无需这些具体细节。在其他情况下，为了不模糊对本说明书的理解，并未详细示出公知的电路、结构和技术。

对“一个实施例”、“一实施例”、“示例实施例”、“各种实施例”等的引述指出，所描述的本发明的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但不是每个实施例都一定包括该特定特征、结构或特性。另外，一些实施例可以具有在其他实施例中描述的特征中的一些或所有特征，或不具有在其他实施例中描述的特征。

以下说明书和权利要求书中，可能用到术语“耦合”和“连接”以及其派生词。应当理解的是，这些术语并不意在是彼此的同义词。而是，在特定实施例中，“连接”用于指示两个或更多个元件之间彼此直接物理接触或电接触。“耦合”用于指示两个或更多个元件彼此合作或交互，但是它们可以或可以不直接物理接触或电接触。

如权利要求书中所用的，除非另外说明，否则使用序数形容词“第一”、“第二”、“第三”等来描述一个共同的元件仅表明正在提及相同元件的不同实例，而不是想要暗示所描述的这些元件必须处于给定的顺序，无论是在时间上、空间上、按等级或按任何其它的方式。

本发明的各种实施例可以以硬件、固件和软件中的一个或任意组合来实施。本发明也可以被实现为包含在计算机可读介质中的指令或包含在计算机可读介质之上的指令，所述指令可以由一个或多个处理器读取并执行从而使得能够执行本文描述的操作。计算机可读介质可以包括用于存储、发送、和/或接收以一个或更多个计算机可读形式的信息的任何机制。例如，计算机可读介质可以包括有形存储介质，例如但不限于只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪速存储器设备等。计算机可读介质也可以包括被调制后用来编码指令的传播信号，例如但不限于电磁、光或声载波信号。