[发明专利]常关型半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200980138363.9 | 申请日： | 2009-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN102171830A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | S·黑克曼;Y·吴 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 曲宝壮;王忠忠 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供常关型半导体器件。提供III族氮化物缓冲层。III族氮化物阻挡层被提供在III族氮化物缓冲层上。不导电间隔物层被提供在III族氮化物阻挡层上。III族氮化物阻挡层和间隔物层被蚀刻以形成沟槽。所述沟槽延伸穿过阻挡层并且暴露一部分缓冲层。在间隔物层上且在沟槽中形成介质层，并且在介质层上形成栅极电极。还在本文中提供形成半导体器件的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 常关型 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管，包括：III族氮化物缓冲层；在III族氮化物缓冲层上的III族氮化物阻挡层；在III族化物氮阻挡层上的不导电间隔物层，所述III族氮化物阻挡层和间隔物层限定延伸穿过阻挡层并且暴露一部分缓冲层的沟槽；在间隔物层上且在沟槽中的栅极结构；以及在栅极结构上的栅极电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于克里公司，未经克里公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200980138363.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：流感疫苗
- 下一篇：用于单级功率变换系统的系统与方法
- 同类专利
- 专利分类
