[发明专利]场效应晶体管的制造方法和制造装置无效
| 申请号： | 200980137929.6 | 申请日： | 2009-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN102165570A | 公开（公告）日： | 2011-08-24 |
| 发明（设计）人： | 仓田敬臣;清田淳也;新井真;赤松泰彦;浅利伸;桥本征典;佐藤重光;菊池正志 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/203;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;栗涛 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管的制造方法以及制造装置，其可在活性层不暴露在大气环境中的情况下保护该活性层不被蚀刻剂侵蚀。本发明一个实施方式所述的场效应晶体管的制造方法包括：采用溅射法在基材上(10)形成活性层(15)(IGZO膜15F)的工序，其中，该活性层具有In-Ga-Zn-O系成分；采用溅射法在上述活性层上形成阻挡层(阻挡层形成膜16F)，该阻挡层用来保护上述活性层不被蚀刻剂侵蚀；以所述阻挡层作为掩膜对上述活性层进行蚀刻加工。采用溅射法形成阻挡层时，在形成活性层后可在该活性层不暴露在大气中的情况下形成阻挡层，所以能防止大气中的水分或杂质附着在活性层的表面而引起薄膜质量变差的情况出现。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管的制造方法，其特征在于，采用溅射法在基材上形成活性层，其中，所述活性层具有In‑Ga‑Zn‑O系成分，采用溅射法在所述活性层上形成阻挡层，该阻挡层用来保护所述活性层不被蚀刻剂侵蚀，以所述阻挡层作为掩膜对所述活性层进行蚀刻加工。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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