[发明专利]沉积系统、ALD系统、CVD系统、沉积方法、ALD方法及CVD方法有效
申请号: | 200980137045.0 | 申请日: | 2009-08-05 |
公开(公告)号: | CN102160148A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 尤金·P·马什;蒂莫·奎克;斯特凡·乌伦布罗克;布伦达·克劳斯 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 宋献涛 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一些实施例包含经配置以用于借助提供于反应室的下游的一个或一个以上捕集器来收回未反应的前驱物的沉积系统。所述沉积系统中的一些沉积系统可利用两个或两个以上捕集器,所述两个或两个以上捕集器相对于彼此并联连接且经配置使得所述捕集器可交替地用于捕集前驱物及将所捕集的前驱物释放回到所述反应室中。所述沉积系统中的一些沉积系统可经配置以用于ALD,且一些沉积系统可经配置以用于CVD。 | ||
搜索关键词: | 沉积 系统 ald cvd 方法 | ||
【主权项】:
一种沉积系统,其包括:反应室;多个前驱物捕集器,其与所述反应室流体连通;所述前驱物捕集器经配置以在第一条件下捕集前驱物且在第二条件下释放所述所捕集的前驱物;流动路径,前驱物沿着所述流动路径流动到所述室、穿过所述室并从所述室流出;且其中所述前驱物捕集器中的至少两者沿着所述流动路径相对于彼此并联连接,使得所述前驱物捕集器中的所述至少两者中的一者可用作用于所述室中的反应的前驱物的源,而所述前驱物捕集器中的所述至少两者中的另一者用于收集从所述室排出的未反应的前驱物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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