[发明专利]基板处理装置和基板载置台

摘要

本发明提供基板处理装置和基板载置台。该基板处理装置用于在被保持为真空的处理容器内对基板(W)进行等离子体处理，在处理容器内具备载置基板(W)的基板载置台(5)。基板载置台(5)包括：由AlN构成的载置台主体(51)；设置在载置台主体(51)内的基板加热用发热体(56)；覆盖载置台主体(51)的表面的石英制的第一盖体(54)；使基板(W)升降的多个升降销(52)；在载置台主体(51)内插通升降销(52)的多个插通孔(53)；在第一盖体(54)的与插通孔(53)对应的位置形成的多个开口(54a)；和将开口(54a)的内表面的至少一部分与插通孔(53)内周面的至少一部分覆盖的与第一盖体(54)分体设置的石英制的第二盖体(55)。

主权项

一种基板处理装置，其特征在于，包括：能够保持为真空并收容基板的处理容器；在所述处理容器内载置基板的基板载置台；向所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和在所述处理容器内生成处理气体的等离子体的等离子体生成机构，其中，所述基板载置台包括：由AlN构成的载置台主体；设置在所述载置台主体内、用于对被载置的基板进行加热的发热体；覆盖所述载置台主体的表面的石英制的第一盖体；以相对于所述基板载置台的上表面自如地突出/没入的方式设置、使基板升降的多个升降销；设置在所述载置台主体、被插通所述升降销的多个插通孔；在所述第一盖体的分别与所述多个插通孔对应的位置设置的多个开口；和作为与所述第一盖体分体的部件且分别设置于所述插通孔的多个石英制的第二盖体，所述各第二盖体，以使在对应的插通孔的上端附近所述载置台主体的由AlN构成的表面不暴露在生成于所述处理容器内的等离子体中的方式，将与该第二盖体对应的所述插通孔的内周面的至少一部分和与该第二盖体对应的所述开口的内表面的至少一部分覆盖。