[发明专利]发光二极管的制造设备与方法有效
| 申请号： | 200980135714.0 | 申请日： | 2009-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102388436A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 柳炳韶 | 申请（专利权）人： | QMC株式会社;柳炳韶 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 林锦辉;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LED的制造设备和方法，所述设备和方法能够使垂直型LED中的薄膜与基底分离，所述设备包括：激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED制造设备，包括：激光束源，用于发射激光束；网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的所述激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
