[发明专利]发光二极管的制造设备与方法

权利要求书

1.一种LED制造设备，包括：

激光束源，用于发射激光束；

网孔型掩膜，所述网孔型掩膜具有多个孔，用于使所述激光束有选择地通过；以及

成像透镜，用于通过将穿过所述网孔型掩膜的所述激光束聚焦而形成多个束斑，从而将基底与形成在所述基底上的半导体层分离。

2.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的扩束望远镜。

3.根据权利要求2所述的设备，还包括被置于所述扩束望远镜和所述网孔型掩膜之间的场透镜。

4.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的匀束器。

5.根据权利要求2所述的设备，还包括被置于所述扩束望远镜和所述网孔型掩膜之间的匀束器。

6.根据权利要求1所述的设备，还包括被置于所述激光束源和所述网孔型掩膜之间的场透镜。

7.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个束斑形成在所述半导体层和所述基底之间的界面上。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，每个所述束斑形成为满足下列公式的圆形形状：

1.67×10³×T×E_d^-1＜R＜20×10³×T×E_d^-1

其中，R表示所述圆形形状的半径(m)，T表示所述半导体层的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm²)。

9.根据权利要求1所述的设备，其中，每个所述孔形成为直径为“D”的圆形形状，并且其中，相邻的所述孔之间的间距小于“2D”。

10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述多个孔中的每个孔都形成为矩形形状。

11.根据权利要求1所述的设备，其中，所述网孔型掩膜中的各个孔的尺寸是可变的，从而调节每个束斑的尺寸。

12.根据权利要求1所述的设备，其中，所述激光束的波长在约150nm到约1100nm之间。

13.一种LED制造方法，包括：

在基底上形成半导体层；

在所述半导体层上形成导电支撑层；

使激光束穿过具有多个孔的网孔型掩膜，从而形成多个单元束；以及

在所述半导体层和所述基底之间的界面处形成多个束斑，其中，通过使所述多个单元束穿过成像透镜来形成所述多个束斑。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，形成所述多个束斑的步骤包括调节每个束斑的尺寸。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，通过改变所述网孔型掩膜中的孔的尺寸来执行调节每个束斑的尺寸的步骤。

16.根据权利要求13所述的方法，其中，每个所述束斑形成为满足下列公式的圆形形状：

1.67×10³×T×E_d^-1＜R＜20×10³×T×E_d^-1

其中，R表示所述圆形形状的半径(m)，T表示所述半导体层的厚度(m)，Ed表示所述束斑的能量密度(J/cm²)。

17.根据权利要求13所述的方法，其中，每个所述束斑都形成为矩形形状。

18.根据权利要求13所述的方法，还包括移动载有所述基底的台子。

19.根据权利要求13所述的方法，其中，所述半导体层包括直接形成在所述基底上的缓冲层，并且其中，将所述基底分离的步骤还包括去掉所述缓冲层。

20.根据权利要求13所述的方法，其中，每个孔形成为直径为“D”的圆形形状，并且其中，相邻的所述孔之间的间距小于“2D”。