[发明专利]具有隔离沟槽衬垫的半导体器件及相关制造方法有效
| 申请号： | 200980134161.7 | 申请日： | 2009-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN102132397A | 公开（公告）日： | 2011-07-20 |
| 发明（设计）人： | 理查德·凯特;乔治·克卢特;迈克尔·哈格罗夫 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 周文强;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体器件结构(300)的方法，其中在产生的半导体器件结构(300)中减小了宽度效应。该方法涉及提供具有半导体材料(202)的衬底(200)，用基本上抑制高k材料在上面形成的衬垫材料(214)衬垫该隔离沟槽(212)。然后用绝缘材料填充(218)被衬垫的沟槽(216)。然后，在该绝缘材料(218)的至少一部分上方和该半导体材料(202)的至少一部分上方形成高k栅材料(232)层。该衬垫材料(214)分开高k栅材料(232)层，这防止了氧在该半导体材料(202)的有源区域上方的迁移。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 隔离 沟槽 衬垫 半导体器件 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件结构(300)的方法，该方法包含：提供具有半导体材料(202)的衬底(200)；在所述半导体材料(202)中形成隔离沟槽(212)；用基本上抑制高k材料在上面形成的衬垫材料(214)衬垫所述隔离沟槽(212)，产生衬垫后的沟槽(216)；用绝缘材料(218)至少部分填充所述衬垫后的沟槽(216)；以及形成覆盖所述绝缘材料(218)的至少一部分和覆盖所述半导体材料(202)的至少一部分的高k栅材料(232)层，从而所述高k栅材料(232)层被所述衬垫材料(214)分开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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